| Trends in dopant incorporation for 3C-SiC thin films on silicon. Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials Auteur(s) : Zielinski, M. Portail, M. Peyre, H. Chassagne, T. Ndiaye, S. Boyer, Bernard Leycuras, A. Camassel, J. Auteurs secondaires : Géosciences Montpellier ; Université des Antilles et de la Guyane (UAG) - Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS) - Université de Montpellier (UM) - Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) | Partager
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